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D06-先进微电子与光电子材料

Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料;用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料;光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料;新型显示材料;先进封装材料;新型二维材料;碳纳米管,石墨烯等碳基功能材料;材料检测技术与方法;材料设计理论与计算模拟。


Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors;
High-k, Low-k, GeSi, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in integrated circuits and optoelectronic devices; 
Photoresists, DSA, CVD and ALD precursors, CMP materials, process chemicals and targets for integrated circuit fabrication materials;
New display materials;
Advanced packaging materials; 
Novel two dimensional materials; 
Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials;
Materials characterization technology and methods;
Materials design theory and simulation.



王曦           广东省人民政府
汪正平        香港中文大学  
杨德仁        浙江大学      
赵超           中国科学院微电子研究所
林庆煌        ASML


 

集成电路材料产业技术创新联盟


中国科学院上海微系统与信息技术研究所


由分会统一出版。

作者也可根据自身情况选择由大会统一出版。
有出版要求的作者,请务必在提交全文后邮件通知大会联系人。



宋三年        中国科学院上海微系统与信息技术研究所        13818144065        songsannian@mail.sim.ac.cn

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